BD139 80V 1.5A NPN Bipolar Power Transistor

This series of plastic, medium-power NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

Features

 

DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc

BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140

ประเภทสินค้า:	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT
มาตรฐาน RoHS:	รายละเอียด
รูปแบบการติด:	Through Hole
หีบห่อ/บรรจุภัณฑ์:	SOT-32-3
ขั้วทรานซิสเตอร์:	NPN
การกำหนดคุณสมบัติ:	Single
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO:	80 V
แรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาเบส VCBO:	80 V
แรงดันระหว่างอิมิเตอร์และขาเบส VEBO:	5 V
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์:	- 0.5 V, + 0.5 V
ค่าสูงสุดของตัวสะสมกระแสไฟตรง:	1.5 A
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	+ 150 C
ระดับ:	500V Transistors
กระแสไฟต่อเนื่องของคอลเลกเตอร์:	1.5 A
คอลเลกเตอร์กระแสตรง/อัตราขยายผ่านเบส Hfe ต่ำสุด:	40
กระแสไฟตรงที่รับค่า hFE สูงสุด:	250
ความสูง:	10.8 mm
ความยาว:	7.8 mm
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:	- 65 C
การบรรจุ:	Tube
Pd - กำลังงานสูญเสีย:	12.5 W
ความกว้าง:	2.7 mm